Transistor de Potencia MOSFET para 175 / 530 MHz, 70 Watt, 12.5 Vcc.

Name: Transistor de Potencia MOSFET para 175 / 530 MHz, 70 Watt, 12.5 Vcc.
Brand: SYSCOM
SKU: RD70HUP2
Price: 1882.0 MXN
Availability: OutOfStock

Marca: SYSCOM

Modelo: RD70HUP2

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Características Principales

Transistor MOSFET de potencia para aplicaciones VHF/UHF
Diseñado para frecuencias de 175 MHz y 530 MHz
Potencia de salida: 75W (530 MHz) y 84W (175 MHz)
Eficiencia de drenador: 64% (530 MHz) y 74% (175 MHz)
Tensión de alimentación: 12.5V
Corriente de drenador: 20A máximo
Diodo integrado de protección de puerta
Paquete moldeado para mayor robustez
Suministrado en cinta y carrete (500 unidades por carrete)
Cumple con estándares RoHS

Especificaciones Técnicas

Tensión drenador-fuente: 40V (máx)
Tensión puerta-fuente: -5/+10V (máx)
Corriente de drenador: 20A (máx)
Disipación de potencia: 425W (teórico en disipador infinito)
Temperatura de operación: -40°C a +175°C
Resistencia térmica: 0.17°C/W (mínimo)
Impedancia de entrada: 50Ω
Capacitancia de entrada: 300pF (típico a 1MHz)
Capacitancia de salida: 150pF (típico a 1MHz)
Capacitancia de retroalimentación: 50pF (típico a 1MHz)

Aplicaciones

Etapa de salida de amplificadores de alta potencia
Sistemas de comunicación móvil en bandas VHF/UHF
Equipos de radio base y móviles
Sistemas de comunicaciones de emergencia
Equipos de comunicación industrial
Sistemas de radiodifusión
Equipos de prueba y medición RF

Características RF

Frecuencia: 175MHz / 530MHz
Potencia de entrada: 4-5W
Potencia de salida: 70-84W
Impedancia: 50Ω
Relación de onda estacionaria (VSWR): 65:1 (máx)

Características Eléctricas

Tensión de umbral: 1.6V - 2.4V
Corriente de fuga: 150μA (máx)
Corriente de puerta: 2.5μA (máx)
Transconductancia: 200mS (mín)
Capacitancia de entrada: 300pF (típico)

Condiciones de Operación

Tensión de operación: 12.5V
Corriente de polarización: 1.0A
Temperatura de operación: -40°C a +175°C
Impedancia de carga: 50Ω
Modulación: TETRA, π/4DQPSK

Características de RF

Ancho de banda: 135-530MHz
Respuesta de frecuencia: 175MHz y 530MHz optimizados
Estabilidad: Diseño robusto con diodo de protección
Linealidad: Excelente para señales moduladas
Distorsión: Mínima en todo el rango de operación

Condiciones de Prueba

Frecuencia de prueba: 135MHz a 530MHz
Tensión de prueba: 12.5V
Corriente de prueba: 1.0A
Impedancia de prueba: 50Ω
Temperatura de prueba: 25°C

Características Térmicas

Resistencia térmica: 0.17°C/W (mín)
Temperatura de almacenamiento: -40°C a +175°C
Disipación: 425W (en disipador infinito)

Características de Paquete

Tipo de paquete: Paquete moldeado
Conexiones: Drenador, fuente, puerta
Montaje: Montaje en superficie
Material: Silicio
Estilo: Discreto

Condiciones de Garantía

RoHS: Cumple con directivas RoHS
Pruebas: 22 piezas por lote
Garantía: 1 año
Almacenamiento: -40°C a +175°C
Condiciones: Tc=25°C a menos que se indique

Condiciones de Prueba RF

Impedancia: 50Ω
Frecuencia: 175MHz y 530MHz
Tensión: 12.5V
Corriente: 1.0A
Temperatura: 25°C

Condiciones de Estrés

VSWR: 65:1 (todas las fases)
Tensión: 16.3V (máx)
Temperatura: 25°C (prueba)
Impedancia: 50Ω
Corriente: 2x500mA

Características de Linealidad

Distorsión: Mínima
Intermodulación: -30dBc (máx)
ACLR: -45dBc (mín)
IMD3: -40dBc (máx)
IMD5: -50dBc (máx)

Condiciones de Prueba de Linealidad

Modulación: TETRA, π/4DQPSK
Filtro: Nyquist raíz (α=0.35)
Tasa de símbolos: 18ksps
Ancho de banda: 18kHz
Canal: 25kHz

Transistor de Potencia MOSFET para 175 / 530 MHz, 70 Watt, 12.5 Vcc.

Características Principales

Especificaciones Técnicas

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