Dos Diodos de Switcheo de Silicio, Eléctricamente Independientes, de 35 Volt, 100 mA, SMD TO-253-4

Name: Dos Diodos de Switcheo de Silicio, Eléctricamente Independientes, de 35 Volt, 100 mA, SMD TO-253-4
Brand: SYSCOM
SKU: MA4X86200LCT-ND
Price: 15.0 MXN
Availability: OutOfStock

Marca: SYSCOM

Modelo: MA4X86200LCT-ND

Agotado

$ 15.00 - $ 15.00

$ 15.00

$ 15.00 - $ 15.00

$ 15.00

IVA Incluido

Disponibilidad:

Agotado

Cantidad

Características Principales

Dos elementos eléctricamente independientes incorporados
Capacitancia pequeña en diodos
Baja resistencia dinámica hacia adelante
Óptimos para un cambio de banda del sintonizador

Especificaciones Eléctricas

Voltaje inverso: 35 V
Corriente directa: 100 mA (individual), 75 mA (doble)
Temperatura operación: -25 a +85 °C
Temperatura almacenamiento: -55 a +100 °C

Especificaciones Eléctricas Detalladas

Voltaje directo: 1.0 V (a 100 mA)
Corriente inversa: 100 nA (a 33 V)
Capacitancia diodo: 1.2 pF (a 6 V, 1 MHz)
Resistencia dinámica directa: 0.65 Ω (a 2 mA, 100 MHz)
Resistencia dinámica directa: 0.98 Ω (a 2 mA, medición alternativa)

Características Físicas

Paquete: Mini4-G1 (TO-253-4)
Marca: SYSCOM
Modelo: MA4X86200LCTND
Conformidad: RoHS Directive (EU 2002/95/EC)

Aplicaciones Típicas

Sintonizadores de banda
Circuitos de conmutación de RF
Equipos de comunicación
Instrumentos de medición

Condiciones Máximas

Temperatura ambiente: -25 a +85 °C
Temperatura almacenamiento: -55 a +100 °C
Voltaje de operación: Hasta 35 V
Corriente de operación: Hasta 100 mA

Precauciones de Uso

Cumplir con las normas de seguridad eléctrica
Evitar sobrepasar los límites máximos de voltaje y corriente
Considerar diseño redundante en aplicaciones críticas
Proteger contra descargas electrostáticas (ESD)

Descripción Técnica

Diodos de conmutación de silicio epitáxico planar tipo MA4X862 (MA862), diseñados específicamente para aplicaciones de cambio de banda en sintonizadores. El paquete Mini4-G1 (TO-253-4) contiene dos elementos eléctricamente independientes, permitiendo configuraciones duales en un solo componente. Con una capacitancia diodo de 1.2 pF a 6V y baja resistencia dinámica hacia adelante (0.65 Ω a 2 mA, 100 MHz), estos diodos ofrecen un rendimiento estable en aplicaciones de RF.

La construcción de silicio epitáxico planar proporciona una alta confiabilidad y estabilidad térmica, con una temperatura operativa de -25 a +85 °C. La baja capacitancia y resistencia dinámica permiten una conmutación rápida y eficiente, ideal para circuitos de selección de banda en equipos de comunicación y medición.